[实用新型]一种PN结瞬时电容能谱测量系统有效
| 申请号： | 201520179615.5 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN204577404U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 吴京锦;赵策洲;刘晨光 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/26 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种PN结瞬时电容能谱测量系统，包括通过GPIB数据接口与计算机连接的信号发生模块、信号放大模块和信号采集模块，所述信号发生模块和信号放大模块的另一端与信号采集模块连接；所述信号发生模块可以发出可变脉冲信号；所述电流转换模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号；所述信号采集模块用于采集标准数据和测试数据；所述上位机为安装有电子仪器控制环境的计算机，用于控制、处理数据和显示。所用的电子测量仪器是实验室常见的成本较低的设备，测量环境是以室温为本底，逐渐升高温度，避免了用液氮、液氦等提供超低的测量温度和测量环境。可以应用于各种具有电容性质的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 瞬时 电容 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种PN结瞬时电容能谱测量系统，其特征在于，包括通过GPIB数据接口与计算机连接的信号发生模块、信号放大模块和信号采集模块，所述信号发生模块和信号放大模块的另一端与信号采集模块连接；所述信号发生模块可以发出可变脉冲信号；所述信号放大模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号；所述信号采集模块用于采集标准数据和测试数据；所述计算机安装有电子仪器控制环境，用于控制、处理数据和显示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
