[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201511026814.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106340321B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 林圣龙;白承焕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件可以包括：存储单元阵列；多个页缓冲器，分别连接至存储单元阵列的多个位线；以及控制逻辑，被配置为控制所述多个页缓冲器以对存储单元阵列执行操作，其中，所述多个页缓冲器中的每个页缓冲器在感测节点处感测电流量以读取数据，所述电流量根据所述多个位线之中的对应的位线的电势电平而变化，以及感测节点处的预充电电势电平根据温度来调节。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列；多个页缓冲器，分别连接至存储单元阵列的多个位线；以及控制逻辑，被配置为控制所述多个页缓冲器来对存储单元阵列执行操作，其中，所述多个页缓冲器中的每个页缓冲器在感测节点处感测电流量以读取数据，所述电流量根据所述多个位线之中的对应的位线的电势电平而变化，以及感测节点处的预充电电势电平根据温度来调节。
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