[发明专利]电子装置和半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201511009747.4 申请日: 2011-08-26
公开(公告)号: CN105633056B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 吉原郁夫;梅林拓;高桥洋;吉田博信 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L27/146;H01L21/48
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中,一种电子装置包括:第一半导体芯片和第二半导体芯片,第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层,其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合,并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部,并且其中,第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明,能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
搜索关键词: 电子 装置 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子装置,其包括:第一半导体芯片,包括:第一半导体基板;第一布线层,其具有第一布线部和第一绝缘层,其中所述第一布线部延伸到所述第一布线层的外围区域;和第二半导体芯片,其堆叠在所述第一半导体芯片上,所述第二半导体芯片包括:第二半导体基板;第二布线层,其具有第二布线部和第二绝缘层,其中所述第二布线部延伸到所述第二布线层的外围区域,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的相对表面彼此结合,并且其中在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述相对表面处不暴露所述第一布线部和所述第二布线部,并且其中,所述第一布线部与所述第二布线部通过在所述第一半导体芯片的外围区域处以及在所述第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。
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