[发明专利]电子装置和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

第一半导体芯片，包括：

第一半导体基板；

第一布线层，其具有第一布线部和第一绝缘层，其中所述第一布线部延伸到所述第一布线层的外围区域；和

第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，所述第二半导体芯片包括：

第二半导体基板；

第二布线层，其具有第二布线部和第二绝缘层，其中所述第二布线部延伸到所述第二布线层的外围区域，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的相对表面彼此结合，并且其中在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述相对表面处不暴露所述第一布线部和所述

第二布线部，并且

其中，所述第一布线部与所述第二布线部通过在所述第一半导体芯片的外围区域处以及在所述第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的电子装置，

其中，所述第一半导体芯片比所述第二半导体芯片薄，且

其中，所述第二半导体芯片设置成用于支撑所述第一半导体芯片的支撑基板。

3.根据权利要求2所述的电子装置，

其中，在所述第一半导体芯片中形成像素，每个所述像素包括光电转换部，且

其中，所述光电转换部设置成用于接收从所述第一半导体芯片的表面入射的入射光，所述表面处于所述第一半导体芯片的堆叠有所述第二半导体芯片的表面的对面侧。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一半导体芯片包括半导体存储器元件。

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一半导体芯片包括形成在SOI基板上的半导体元件。

6.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述第二半导体芯片包括信号处理电路。

7.根据权利要求1所述的电子装置，

其中，所述第一布线层堆叠在所述第一半导体基板上，其中所述第一布线部形成在所述第一绝缘层中，

其中，所述第二布线层堆叠在所述第二半导体基板上，并且，其中所述第二布线部形成在所述第二绝缘层中。

8.一种半导体器件的制造方法，包括：

在第一半导体芯片上堆叠第二半导体芯片；

将第一布线部的外围区域和第二布线部的外围区域暴露在堆叠体的外围区域处，所述第一布线部形成在所述第一半导体芯片上，并且所述第二布线部形成在所述第二半导体芯片上，所述堆叠体中堆叠有所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，其中所述第一布线部包括在所述第一半导体芯片的第一布线层中，其中所述第二布线部包括在所述第二半导体芯片的第二布线层中，其中所述第一布线层的第一表面结合到所述第二布线层的第一表面，其中在所述第一布线层的所述第一表面处不暴露所述第一布线部，并且其中在所述第二布线层的所述第一表面处不暴露所述第二布线部；和

通过在所述第一半导体芯片的外围区域和所述第二半导体芯片的外围区域处设置导电层，使得所述第一布线部和所述第二布线部彼此电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

其中，形成所述第一半导体芯片包括：在第一半导体基板上堆叠所述第一布线层，所述第一布线层中的所述第一布线部形成在绝缘层中，

其中，形成所述第二半导体芯片包括：在第二半导体基板上堆叠所述第二布线层，所述第二布线层中的所述第二布线部形成在绝缘层中，且

其中，在堆叠所述第二半导体芯片的步骤中，所述第一布线层和所述第二布线层彼此相对，并且所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的相对表面彼此结合。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，形成所述第一半导体芯片还包括将所述第一半导体基板薄化，且

其中，在将所述第一半导体基板薄化的步骤中，在通过堆叠所述第二半导体芯片的步骤将所述第二半导体芯片堆叠并支撑在所述第一半导体芯片上之后，将所述第一半导体基板薄化。