[发明专利]一种防止高K材料氧扩散的方法

摘要

本发明公开了一种防止高K材料氧扩散的方法，通过在超薄界面层和高K材料界面处增加淀积一层金属Ru作为缓冲层，并在高K材料淀积完好后进行退火，使高K材料中的氧和金属Ru结合，形成稳定的RuO₂，从而可防止氧和衬底中的硅反应形成氧扩散；同时，还可阻止超薄界面层中的OH^—和高K材料生成Hf的亚氧化物HfO₂H₂x,避免电子由Hf向功函数金属转移形成界面，造成有效功函数的降低，从而提高了电路的电学特性和可靠性。

主权项

1.一种防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一硅衬底，在所述硅衬底上采用化学氧化方法淀积一层超薄界面层；步骤二：在所述超薄界面层上淀积一层金属Ru作为缓冲层；步骤三：在所述金属Ru上继续淀积高K材料；步骤四：退火，使所述高K材料中的氧和金属Ru结合，形成稳定的RuO₂，防止氧和衬底中的硅反应形成氧扩散；同时，阻止超薄界面层中的OH—和高K材料生成Hf的亚氧化物。