[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201511000828.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105609126B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 边相镇;高在范 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/04 | 分类号： | G11C5/04;G11C16/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，可以包括：第一芯片ID发生单元，所述第一芯片ID发生单元被配置为经由第一穿通硅通孔接收使能信号以及经由第二穿通硅通孔接收时钟信号，并产生第一芯片ID信号和延迟的使能信号；第二芯片ID发生单元，所述第二芯片ID发生单元被配置为接收时钟信号以及经由第三穿通硅通孔从第一芯片ID发生单元接收延迟的使能信号，并产生第二芯片ID信号；第一芯片选择信号发生单元，所述第一芯片选择信号发生单元被配置为接收第一芯片ID信号和主ID信号并产生第一芯片选择信号；以及第二芯片选择信号发生单元，所述第二芯片选择信号发生单元被配置为接收第二芯片ID信号和主ID信号并产生第二芯片选择信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包括层叠的第一芯片和第二芯片的半导体装置，包括：第一组穿通硅通孔，所述第一组穿通硅通孔被配置为在沿一条直线延伸的同时穿通并连接所述第一芯片和所述第二芯片，并传送设置在所述第一芯片中的电路所产生的信号；第一再分配层，所述第一再分配层被配置为将所述第一组穿通硅通孔的第一子穿通硅通孔与设置在所述第二芯片中的电路电连接；以及第二再分配层，所述第二再分配层被配置为将设置在所述第二芯片中的电路与所述第一组穿通硅通孔的第二子穿通硅通孔电连接。
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