[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种包括层叠的第一芯片和第二芯片的半导体装置，包括：

第一组穿通硅通孔，所述第一组穿通硅通孔被配置为在沿一条直线延伸的同时穿通并连接所述第一芯片和所述第二芯片，并传送设置在所述第一芯片中的电路所产生的信号；

第一再分配层，所述第一再分配层被配置为将所述第一组穿通硅通孔的第一子穿通硅通孔与设置在所述第二芯片中的电路电连接；以及

第二再分配层，所述第二再分配层被配置为将设置在所述第二芯片中的电路与所述第一组穿通硅通孔的第二子穿通硅通孔电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

另一个再分配层，所述另一个再分配层被配置为将设置在所述第一芯片中的电路与所述第一组穿通硅通孔的第一子穿通硅通孔电连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：

金属线，所述金属线被配置为将设置在所述第一芯片中的电路与所述另一个再分配层电连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

凸块和金属线，所述凸块和金属线被配置为将所述第一再分配层和设置在所述第二芯片中的电路电连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

金属线，所述金属线被配置为将设置在所述第二芯片中的电路与所述第二再分配层电连接。