[发明专利]具有上覆栅极结构的基板电阻器有效
| 申请号： | 201510998958.9 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105742271B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | J·辛格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有上覆栅极结构的基板电阻器。一种电阻器装置，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个栅极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一栅极结构，该第一栅极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一栅极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 上覆柵极 结构 电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种电阻器，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；第一鳍部分，位在该电阻器本体的第一端部之上；第二鳍部分，位在该电阻器本体的第二端部之上；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个栅极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上，其中，该第一鳍部分包括鳍的第一部分，且该第二鳍部分包括耦接至该电阻器本体的第二端部的该鳍的第二部分，其中，该至少一个栅极结构垂直于穿过该鳍的该第一部分及该第二部分的轴而设置。
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