[发明专利]超高压电阻器、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510970864.0 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105719951B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金光佚;金宁培 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种超高压电阻器、半导体器件及其制造方法。一个示例提供包括在半导体基底的阱区与多晶硅的电阻器之间具有预定厚度的绝缘体的半导体器件。所述绝缘体具有能够忍受超高电压的结构，因此允许在未增加半导体基底以及包括这样的电阻器的半导体器件的尺寸的情况下，制造能够承受超高电压的半导体器件。其他示例提供用于制造这样的半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 电阻器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造高压电阻器的方法，包括：在半导体基底上形成阱区；在阱区的表面上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层的表面上形成第二绝缘体层；在第二绝缘体层的表面上形成多晶硅层，其中，当形成第一绝缘体层时第一斜面区被形成，当形成第二绝缘体层时第二斜面区被形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
