[发明专利]超高压电阻器、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造高压电阻器的方法，包括：

在半导体基底上形成阱区；

在阱区的表面上形成第一绝缘体层；

在第一绝缘体层的表面上形成第二绝缘体层；

在第二绝缘体层的表面上形成多晶硅层，

其中，当形成第一绝缘体层时第一斜面区被形成，所述第一斜面区包括第一上斜面区和第一下斜面区，所述第一上斜面区朝所述半导体基底的上表面上方延伸第一距离，以及所述第一下斜面区朝所述半导体基底的所述上表面下方延伸所述第一距离，当形成第二绝缘体层时第二斜面区被形成，所述第二斜面区包括第二上斜面区和第二下斜面区，所述第二上斜面区朝所述半导体基底的所述上表面上方延伸第二距离，以及所述第二下斜面区朝所述半导体基底的所述上表面下方延伸所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的用于制造高压电阻器的方法，其中，

第一绝缘体层具有第一宽度，

第一绝缘体层和第二绝缘体层的整体具有第二宽度，

第一宽度小于第二宽度。

3.一种半导体器件，包括：

半导体基底的第一区域；

所述半导体基底的第二区域；以及

所述半导体基底的包括电阻器的第三区域，

其中，所述第二区域和所述电阻器分别比所述第一区域在更高的电压进行工作，以及

所述第三区域的绝缘体包括比所述第一区域的绝缘体的第一厚度更厚的第三厚度，所述第三区域的所述绝缘体与所述第一区域的绝缘体相比朝所述半导体基底的上表面上方和下方延伸更远；所述第三区域的所述绝缘体包括比所述第二区域的绝缘体的第二厚度更厚的第三厚度，所述第三区域的所述绝缘体与所述第二区域的所述绝缘体相比朝所述半导体基底的所述上表面上方和下方延伸更远。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三区域的所述绝缘体的所述第三厚度大于或等于所述第二区域的所述绝缘体的所述第二厚度和所述第一区域的所述绝缘体的所述第一厚度的总和。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电阻器包括：所述半导体基底、位于所述半导体基底上的阱区、包括位于所述阱区的顶侧上的绝缘体层的所述第三区域的所述绝缘体、以及位于所述绝缘体层的顶侧上的多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述阱区是浮置区。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘体层包括：第一绝缘体层和形成在第一绝缘体层上的第二绝缘体层，其中，第一绝缘体层被形成为具有第一斜面区，第二绝缘体层被形成为具有第二斜面区，所述绝缘体层的底部延伸到所述阱区。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第一绝缘膜还以堆叠布置的形式位于所述绝缘体层上。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘体层被配置为参照所述阱区的表面以预定的深度划沟道区。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第二绝缘体层还位于所述沟道区的所述绝缘体层上。

11.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

位于所述阱区上的漂移区；

位于所述漂移区上的高浓度掺杂区。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述阱区是非浮置区。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述半导体器件直接在所述阱区施加偏置。