[发明专利]超高压电阻器、半导体器件及其制造方法

说明书

提供一种超高压电阻器、半导体器件及其制造方法。一个示例提供包括在半导体基底的阱区与多晶硅的电阻器之间具有预定厚度的绝缘体的半导体器件。所述绝缘体具有能够忍受超高电压的结构，因此允许在未增加半导体基底以及包括这样的电阻器的半导体器件的尺寸的情况下，制造能够承受超高电压的半导体器件。其他示例提供用于制造这样的半导体器件的方法。

本申请要求于2014年12月22日提交到韩国知识产权局的第10-2014-0186348号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

下面的描述涉及半导体器件。下面的描述还涉及超高压电阻器及其制造方法，所述超高压电阻器包括在多晶硅的电阻器与阱区之间形成具有预定厚度的绝缘体的半导体器件，以通过小尺寸的电阻器来施加超高电压。

背景技术

半导体器件包括存储单元阵列区域和外围区域。存储单元阵列被形成为具有用于存储数据的多个存储单元。外围区域被形成为具有电路器件，所述电路器件包括具有电阻器的供电电路、存储单元程序以及用于对删除和访问操作进行控制的控制电路。

形成在外围区域上的电路器件之中的存储器在半导体器件的电路操作中是重要的。使用金属层中的至少一个金属线来形成所述电阻器，所述电阻器可包括结型电阻器、多晶硅电阻器和金属电阻器。这样的结型电阻器对温度敏感，具有小的宽度，从而在电阻值方面具有巨大的改变。此外，因为其低的电阻值，金属电阻器难以包括具有高电阻值的电阻器。因此，在温度和电压方面具有小的改变的多晶硅电阻器最好用于生产具有高电阻值的电阻器。

通常，使用多晶硅电阻器的高压电阻器使用利用多个单元电阻器的分压方法，以提供高击穿电压特性。换言之，通过连接几个低电压的单元电阻器来潜在地形成高压电阻器。

通常，单元电阻器包括形成在半导体基底上的阱区、形成在阱区上的氧化层、以及形成在所述绝缘层上的多晶硅层。此外，两个端子形成在多晶硅层上，其中，每个端子被用作被提供电源电压的端子或接地端子。可选地，每个端子连接有用于分压的不同单元的邻近电阻器。

通常，当使用单元电阻器来形成高压电阻器(例如，形成400V的电阻器)时，使用两个单元电阻器。换言之，每个电阻器分别针对200V提供电阻，包括每个单元电阻器的阱区施加偏置。

因此，具有相对高的电压特性的电阻器可被形成在半导体器件上。

然而，使用如前面所述的每个单元电阻器的高压电阻器结构表现出下面的问题。

当施加高于前述的400V的电压时，由于使用分压方法，因此电阻器被形成有相应增加的另一阱区。在此情况下，因为增加了阱区，存在半导体基底的尺寸增大的问题，并且半导体器件也增大。

此外，由于需要偏置被施加到单元电阻器的阱区，因此，还额外需要用于提供偏置的电路组件。

同样地，由于因为讨论的需要在阱区施加偏置的电路特性而导致的半导体器件开发难度增加，因此用于制定具有半导体器件的设备的尺寸的研究开发变得困难。

发明内容

提供该发明内容用于以简化的形式介绍对在下面的具体实施方式中进一步描述的构思的选择。该发明内容不意在标识要求的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定要求的主题的范围。

下面的描述公开了能够在不增加半导体尺寸的同时承受超高电压的半导体器件电阻器。

此外，所述描述涉及半导体器件，所述半导体器件通过提供具有比其他方案小的面积的被配置为使用超高电压的电阻器，来实现功能改善和有效的产品设计。

根据本描述，进一步描述超高压电阻器、半导体器件以及相应的制造方法。