[发明专利]发光二极管装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201510939837.7 | 申请日: | 2015-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN106887442A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
| 发明(设计)人: | 李乃义 | 申请(专利权)人: | 李乃义 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/36 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种发光二极管装置,其包括透明基板;多个磊晶单元,位于该基板的一表面;一第一金属层,该第一金属层位于该磊晶单元的部分表面以连结该磊晶单元与另一相邻的磊晶单元;n对布拉格反射镜对,包覆该些磊晶单元以及该第一金属层的部份表面,其中n为一大于6的整数;以及一第二金属层,设于该布拉格反射镜对的表面,且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层,本发明还公开了该发光二极管装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词: | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管装置,包括:一基板;多个磊晶单元,位于该基板的一表面,每一磊晶单元包括:一n型半导体单元,位于该基板的表面;至少一发光层,位于该n型半导体单元上;一p型半导体单元,位于该n型半导体单元上,且该发光层夹设于该p型半导体单元与该n型半导体单元之间,部份的n型半导体单元露出且不被该p型半导体单元覆盖;以及一透明电极层,位于该p型半导体单元的表面;一第一金属层,该第一金属层位于该磊晶单元的部分表面以连结该磊晶单元与另一相邻的磊晶单元;n对布拉格反射镜对,包覆该些磊晶单元以及该第一金属层的部份表面,其中n为一大于6的整数;以及一第二金属层,设于该布拉格反射镜对的表面,且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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