[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

一基板；

多个磊晶单元，位于该基板的一表面，每一磊晶单元包括：

一n型半导体单元，位于该基板的表面；

至少一发光层，位于该n型半导体单元上；

一p型半导体单元，位于该n型半导体单元上，且该发光层夹设于该p型半导体单元与该n型半导体单元之间，部份的n型半导体单元露出且不被该p型半导体单元覆盖；以及

一透明电极层，位于该p型半导体单元的表面；

一第一金属层，该第一金属层位于该磊晶单元的部分表面以连结该磊晶单元与另一相邻的磊晶单元；

n对布拉格反射镜对，包覆该些磊晶单元以及该第一金属层的部份表面，其中n为一大于6的整数；以及

一第二金属层，设于该布拉格反射镜对的表面，且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中更包括一绝缘层，位于该p型半导体单元的侧壁及该发光层的侧壁。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中更包括一缓冲层，位于该基板与该磊晶单元。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该n型半导体单元为一n型氮化镓，且该p型半导体单元为一p型氮化镓。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该第二金属层经图案化而具有一间隙，使该第二金属层分隔成至少两独立的电极。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，n为一大于6的整数。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该布拉格反射镜对的光学膜层折射率介于1.3至2.8之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该基板为蓝宝石基板。

9.一种发光二极管装置的制造方法，包括下列步骤：

于一基板上形成多个独立的磊晶单元，且每一磊晶单元包括：

一n型半导体单元，位于该基板的一表面；

至少一发光层，位于该n型半导体单元上；

一p型半导体单元，位于该n型半导体单元上，且该发光层夹设于该p型半导体单元与该n型半导体单元之间，部份的n型半导体单元露出且不被该p型半导体单元覆盖；以及

一透明电极层，位于该p型半导体单元的表面；

于该些磊晶单元的表面形成第一金属层，使该第一金属层覆盖部分的磊晶单元表面，以连结该磊晶单元与另一相邻的磊晶单元；

形成n对布拉格反射镜对，使该些布拉格反射镜对包覆该些该磊晶单元以及部分的第一金属层，其中n为一大于6的整数；以及

于该布拉格反射镜对的一表面形成一第二金属层，且该第二金属层连接未经该布拉格反射镜对所覆盖的该第一金属层。

10.如权利要求9所述的制造方法，在步骤(a)之前，更包括在基板上先形成一缓冲层。

11.如权利要求9所述的制造方法，在步骤(a)中，更包括在该p型半导体单元的侧壁及该发光层的侧壁上形成一绝缘层。

12.如权利要求9所述的制造方法，在步骤(a)中，该n型半导体单元为一n型氮化镓，且该p型半导体单元为一p型氮化镓。

13.如权利要求9所述的制造方法，其中，在步骤(d)之后更包括一步骤(e)，图案化该第二金属层使该第二金属层具有一间隙而分隔成至少两独立的电极。

14.如权利要求9所述的方法，其中，于步骤(c)中，n为一大于6的整数。

15.如权利要求9所述的方法，其中，于步骤(c)中，该布拉格反射镜对的光学膜层折射率介于1.3至2.8之间。

16.如权利要求9所述的方法，其中，该基板为蓝宝石基板。