[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括基底、依次位于基底之上的半导体层、栅绝缘层、栅极、旋涂层以及源漏极；源漏极通过贯通旋涂层和栅绝缘层的过孔与半导体层相接触；旋涂层为电绝缘层。薄膜晶体管通过设置旋涂层，由于旋涂层的上表面平坦，消除旋涂层之下各层的不平坦因素，使源漏极位于旋涂层之上的部分平坦，从而避免了源漏极高低起伏的问题，可以避免源漏极金属线断线。本发明还公开了薄膜晶体管的制备方法、阵列基板、以及显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，其包括基底、依次位于所述基底之上的半导体层、栅绝缘层、栅极、旋涂层以及源漏极；所述薄膜晶体管设有贯通所述旋涂层和所述栅绝缘层的过孔；所述源漏极通过所述过孔与所述半导体层相接触；所述旋涂层为电绝缘层。