[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及柔性显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、 阵列基板、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，开发出了可折叠或卷起的柔性显示装置。与传 统的刚性显示装置(即制作在玻璃等不可弯曲的基材上的显示装置)相比，柔性显 示装置具有诸多优势，如重量轻、体积小、携带更为方便、更高的耐冲击性以 及更强的抗震性能等。

柔性显示装置目前面临的主要问题是，在弯曲时像素单元或周边驱动电路 中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)容易发生金属线的断裂，导致 TFT无法正常工作，使得相应的信号无法传输至像素电极或相应的电路结构内， 以至于显示不良。

因此，如何使TFT的金属线在弯曲状态下不易发生断裂是目前亟待解决的 技术问题。

发明内容

基于此，有必要针对金属线在弯曲状态下易发生断裂问题，提供一种在弯 曲状态下不易发生金属线断裂的薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，其包括基底、依次位于所述基底之上的半导体层、栅绝 缘层、栅极、旋涂层以及源漏极；

所述薄膜晶体管设有贯通所述旋涂层和所述栅绝缘层的过孔；所述源漏极 通过所述过孔与所述半导体层相接触；

所述旋涂层为电绝缘层。

上述薄膜晶体管通过设置旋涂层，由于旋涂层的上表面平坦，即旋涂层的 上表面位于同一平面内，消除旋涂层之下各层的不平坦因素，使源漏极位于旋 涂层之上的部分平坦，也就是源漏极的极部平坦，从而避免了源漏极高低起伏 的问题，可以避免源漏极金属线断线。

在其中一个实施例中，所述旋涂层的上表面的粗糙度小于等于10nm。

在其中一个实施例中，所述栅绝缘层上设有沟槽，所述栅极位于所述沟槽 内。

在其中一个实施例中，所述栅极到所述半导体层的距离为10-300nm。

在其中一个实施例中，所述栅极的厚度小于所述沟槽的深度。

在其中一个实施例中，所述旋涂层的材质为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

本发明还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，其包括如下步骤：

在基底上形成半导体层；

在半导体层上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成栅极；

在栅极上旋涂旋涂液，形成旋涂层；

在旋涂层上形成源漏极。

上述薄膜晶体管的制备方法，通过旋涂旋涂液形成旋涂层，消除旋涂层之 下各层的不平坦因素，使源漏极的极部平坦，从而避免了源漏极的极部高低起 伏的问题，可以避免源漏极金属线断线。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括，在栅绝缘层上形成栅极之前， 在栅绝缘层上形成可用于填充栅极的沟槽。

本发明还提供了一种阵列基板，其包括本发明所提供的薄膜晶体管。

本发明还提供了一种显示装置，其包括本发明所提供的阵列基板。

附图说明

图1为实施例1的薄膜晶体管的截面示意图。

图2为实施例2的薄膜晶体管的截面示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实 施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅 仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，图1为实施例1的薄膜晶体管的截面示意图。薄膜晶体管包括基 底100、依次位于基底100之上的半导体层300、栅绝缘层400、栅极500、旋 涂层600以及源漏极700。

在本实施例中，基底100为柔性衬底。

在本实施例中，在基底100和半导体层300之间还设有缓冲层200。即缓冲 层200位于基底100之上，半导体层300位于缓冲层200之上。缓冲层200的 作用是保护半导体层300，避免其它杂质扩散到半导体层300内。缓冲层200的 材料选自二氧化硅、氮化硅。当然，在某些情况下，也可以不设置缓冲层200。

其中，半导体层300为图形层，半导体层300并不完全覆盖基底100或缓 冲层200，而是在基底100或缓冲层200的部分区域上覆盖半导体层300，还有 部分区域未覆盖。