[发明专利]氮化物底层及其制作方法在审
| 申请号： | 201510921684.3 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105428481A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;陈圣昌;钟志白;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物底层结构及其制作方法，采用具有一开放式条状孔洞的溅射式AlN层作为缓冲层，从而在氮化物薄膜生长于该缓冲层之前提供应力释放的路径，可以提升氮化物底层结构的晶格质量并且改善表面裂纹。本发明同时提供了一种采用该氮化物底层结构的发光二极管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 底层 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化物底层，从下至上依次包括：衬底，溅射式AlN缓冲层，MOCVD 生长的AlxIn1‑x‑yGayN层（0≤x≤1，0≤y≤1），其特征在于：所述溅射式AlN缓冲层具有平坦的表面，其内部具有条状孔洞，用于提供应力释放的路径。
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