[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：形成具有掺杂离子的衬底，包括器件区域和围绕器件区域的保护环区域；在保护环区域的衬底内形成与衬底的掺杂离子类型不同的深阱埋层；在深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕保护环区域的第一阱区以及环绕第一阱区的第二阱区，第一阱区和第二阱区均与深阱埋层相连并延伸至衬底表面，且掺杂离子类型与衬底不同；在衬底表面形成保护环结构。本发明通过形成深阱埋层、第一阱区和第二阱区，构成封闭的抗干扰护栏，由于深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与衬底不同，因此构成的抗干扰护栏可以隔绝保护环区域的衬底，从而防止干扰信号通过保护环结构进入衬底内而影响其他器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底中具有掺杂离子，所述衬底包括器件区域和围绕所述器件区域的保护环区域；在所述保护环区域的衬底内形成环绕所述保护环区域的深阱埋层，所述深阱埋层的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；在所述深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕所述保护环区域的第一阱区以及环绕所述第一阱区的第二阱区，所述第一阱区和第二阱区均与所述深阱埋层相连并延伸至所述衬底表面，所述第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；在所述第一阱区、第二阱区以及深阱埋层围成的衬底内形成重掺杂区；在所述衬底上形成保护环结构，所述保护环结构与所述重掺杂区相连接。