[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底中具有掺杂离子，所述衬底包括器件区域和围绕所述器件区域的保护环区域；

在所述保护环区域的衬底内形成环绕所述保护环区域的深阱埋层，所述深阱埋层的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；

在所述深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕所述保护环区域的第一阱区以及环绕所述第一阱区的第二阱区，所述第一阱区和第二阱区均与所述深阱埋层相连并延伸至所述衬底表面，所述第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；

在所述第一阱区、第二阱区以及深阱埋层围成的衬底内形成重掺杂区；

在所述衬底上形成保护环结构，所述保护环结构与所述重掺杂区相连接；所述衬底为P型衬底；所述深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型为N型；所述重掺杂区的掺杂离子类型为P型；

形成所述深阱埋层的步骤包括：对所述保护环区域的衬底进行第一离子注入工艺，形成环绕所述保护环区域的深阱埋层；

所述第一离子注入工艺的参数包括：注入的离子为磷离子、砷离子或锑离子，注入的离子能量为100Kev至1000Kev，注入的离子剂量为1E12至1E14原子每平方厘米；

所述保护环区域为方形，包括四个拐角区域；

对所述保护环区域的衬底进行第一离子注入工艺的步骤包括：在所述衬底表面形成第一图形层，所述第一图形层覆盖所述器件区域和保护环区域的四个拐角区域；

对所述第一图形层暴露出的衬底进行第一离子注入工艺，在所述衬底内形成深阱埋层；

去除所述第一图形层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一阱区和第二阱区的步骤包括：对所述保护环区域的衬底进行第二离子注入工艺，形成环绕所述保护环区域的第一阱区以及环绕所述第一阱区的第二阱区；

所述第二离子注入工艺的参数包括：注入的离子为磷离子、砷离子或锑离子，注入的离子能量为100Kev至500Kev，注入的离子剂量为5E12至1E14原子每平方厘米。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过重掺杂注入工艺形成所述重掺杂区；

所述重掺杂注入工艺的参数包括：注入的离子为硼离子、镓离子或铟离子，注入的离子能量为1ev至100Kev，注入的离子剂量为5E14至1E16原子每平方厘米。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底表面形成保护环结构的步骤包括：在所述保护环区域的衬底表面形成层间介质层；

在所述层间介质层内形成贯穿其厚度的接触孔栓塞，所述接触孔栓塞与所述重掺杂区相连接；

在所述层间介质层表面形成金属互连层，所述金属互连层与所述接触孔栓塞相连接。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述金属互连层包括：在所述层间介质层上依次形成多层金属层；

形成所述金属层的步骤包括：在所述层间介质层上形成围绕所述器件区域的多圈金属线，在平行于所述衬底方向上，相邻圈金属线之间具有一预设间距。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多层金属层的预设间距相等。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预设间距为500μm至1000μm。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底表面形成保护环结构之后，还包括：在所述保护环结构表面形成连接金属层，所述连接金属层接地。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述连接金属层的材料为铝。