[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：形成具有掺杂离子的衬底，包括器件区域和围绕器件区域的保护环区域；在保护环区域的衬底内形成与衬底的掺杂离子类型不同的深阱埋层；在深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕保护环区域的第一阱区以及环绕第一阱区的第二阱区，第一阱区和第二阱区均与深阱埋层相连并延伸至衬底表面，且掺杂离子类型与衬底不同；在衬底表面形成保护环结构。本发明通过形成深阱埋层、第一阱区和第二阱区，构成封闭的抗干扰护栏，由于深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与衬底不同，因此构成的抗干扰护栏可以隔绝保护环区域的衬底，从而防止干扰信号通过保护环结构进入衬底内而影响其他器件的电学性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件的保护环结构主要用于保护芯片在切割时不受损坏，防止切割时因刀片产生的裂痕损坏到芯片。

所述保护环结构一般为接触孔、通孔、金属层相叠形成的一个金属屏蔽环，所述保护环结构与芯片具有一定的间距，与硅片的切割道也有一定的距离。其中，根据器件的不同，所述间距和距离也会相应不同。

所述保护环结构除了在切割时起到保护芯片的作用外，也能起到其他作用，例如屏蔽芯片外的干扰，可以防止潮气从侧面断口进入芯片内等。

但是现有技术形成的保护环结构容易使半导体器件的电学性能下降。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的制造方法。包括如下步骤：形成衬底，所述衬底中具有掺杂离子，所述衬底包括器件区域和围绕所述器件区域的保护环区域；在所述保护环区域的衬底内形成环绕所述保护环区域的深阱埋层，所述深阱埋层的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；在所述深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕所述保护环区域的第一阱区以及环绕所述第一阱区的第二阱区，所述第一阱区和第二阱区均与所述深阱埋层相连并延伸至所述衬底表面，所述第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与所述衬底的掺杂离子类型不同；在所述第一阱区、第二阱区以及深阱埋层围成的衬底内形成重掺杂区；在所述衬底上形成保护环结构，所述保护环结构与所述重掺杂区相连接。

可选的，所述衬底为P型衬底；所述深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型为N型；所述重掺杂区的掺杂离子类型为P型。

可选的，形成所述深阱埋层的步骤包括：对所述保护环区域的衬底进行第一离子注入工艺，形成环绕所述保护环区域的深阱埋层；所述第一离子注入工艺的参数包括：注入的离子为磷离子、砷离子或锑离子，注入的离子能量为100Kev至1000Kev，注入的离子剂量为1E12至1E14原子每平方厘米。

可选的，形成所述第一阱区和第二阱区的步骤包括：对所述保护环区域的衬底进行第二离子注入工艺，形成环绕所述保护环区域的第一阱区以及环绕所述第一阱区的第二阱区；所述第二离子注入工艺的参数包括：注入的离子为磷离子、砷离子或锑离子，注入的离子能量为100Kev至500Kev，注入的离子剂量为5E12至1E14原子每平方厘米。

可选的，通过重掺杂注入工艺形成所述重掺杂区；所述重掺杂注入工艺的参数包括：注入的离子为硼离子、镓离子或铟离子，注入的离子能量为1ev至100Kev，注入的离子剂量为5E14至1E16原子每平方厘米。

可选的，在所述衬底表面形成保护环结构的步骤包括：在所述保护环区域的衬底表面形成层间介质层；在所述层间介质层内形成贯穿其厚度的接触孔栓塞，所述接触孔栓塞与所述重掺杂区相连接；在所述层间介质层表面形成金属互连层，所述金属互连层与所述接触孔栓塞相连接。