[发明专利]NAND闪存的形成方法

摘要

一种NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括核心区和外围区；在核心区上形成多个相互分立的栅极叠层结构，相邻栅极叠层结构之间为凹槽；在凹槽中填充第一介质层；在第一介质层和栅极叠层结构表面形成可流动介质层；对可流动介质层固化处理，以形成固态介质层；在固态介质层表面上形成停止层；在停止层上和外围区形成第二介质层；进行平坦化处理，直至停止在停止层；回刻蚀剩余停止层、固态介质层和第一介质层，以暴露至少部分栅极叠层结构；在被暴露的栅极叠层结构、第一介质层和固态介质层上沉积金属硅化物。所述形成方法能够降低所形成NAND闪存中，字线间的漏电风险，提高工艺窗口。

主权项

一种NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区；在所述核心区上形成多个相互分立的栅极叠层结构，相邻所述栅极叠层结构之间为凹槽；在所述凹槽中填充第一介质层；在所述第一介质层和所述栅极叠层结构表面形成可流动介质层；对所述可流动介质层固化处理，以形成固态介质层；在所述固态介质层表面上形成停止层；在所述停止层上和所述外围区形成第二介质层；进行平坦化处理，直至停止在所述停止层；回刻蚀剩余所述停止层、所述固态介质层和所述第一介质层，以暴露至少部分所述栅极叠层结构；在被暴露的所述栅极叠层结构、所述第一介质层和所述固态介质层上沉积金属硅化物。