[发明专利]NAND闪存的形成方法

权利要求书

1.一种NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区；

在所述核心区上形成多个相互分立的栅极叠层结构，相邻所述栅极叠层结构之间为凹槽；

在所述凹槽中填充第一介质层；

在所述第一介质层和所述栅极叠层结构表面形成可流动介质层，所述可流动介质层为氧化石墨烯或者氧化石墨；

对所述可流动介质层固化处理，以形成固态介质层；

在所述固态介质层表面上形成停止层；

在所述停止层上和所述外围区形成第二介质层；

进行平坦化处理，直至停止在所述停止层；

回刻蚀剩余所述停止层、所述固态介质层和所述第一介质层，以暴露至少部分所述栅极叠层结构；

在被暴露的所述栅极叠层结构、所述第一介质层和所述固态介质层上沉积金属硅化物。

2.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述可流动介质层的材料为可流动聚合物，所述固态介质层的材料为氧化硅，采用流体化学气相沉积方法形成所述可流动聚合物和所述氧化硅。

3.如权利要求2所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述流体化学气相沉积法包括：

沉积步骤，利用氧化硅前驱体发生自由基聚合反应，以产生所述可流动聚合物；

转变步骤，采用臭氧蒸汽将所述可流动聚合物氧化成所述氧化硅。

4.如权利要求3所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述臭氧蒸汽在100℃～200℃的温度条件下对所述可流动聚合物进行氧化。

5.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀方法进行所述回刻蚀，并且所述回刻蚀暴露至少部分控制栅极的侧面。

6.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀采用的反应气体包括氟化碳。

7.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物为镍金属硅化物、钨金属硅化物、钼金属硅化物、钛金属硅化物、钴金属硅化物或者铊金属硅化物。

8.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，采用高深宽比化学气相沉积方法或者高密度等离子体化学气相沉积方法形成所述第一介质层，所述凹槽的深宽比在10:1以上。

9.如权利要求1所述的NAND闪存的形成方法，其特征在于，在形成所述停止层前，还包括在所述栅极叠层结构上形成掩膜层；在回刻蚀所述剩余所述停止层和所述第一介质层时，同时回刻蚀所述掩膜层。