[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510890633.9 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105810737B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够维持电流感测精度并能够提高电流感测区域的破坏耐量的半导体装置。在同一半导体基板上设有活性区域(21)、电流感测区域(22)和二极管区域(24)。活性区域(21)中配置有构成主元件的多个活性单元。电流感测区域(22)中设有构成用于检测主元件中流过的电流的电流感测元件的电流感测单元。二极管区域(24)包围在电流感测区域(22)的周围。二极管区域(24)中配置有与电流感测单元反相并联连接的二极管单元。活性单元和电流感测单元具有沟道栅结构。构成电流检测单元的沟道栅结构的沟道(3b)的宽度(w21)小于构成活性单元的沟道栅结构(3a)的宽度(w11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，在同一半导体基板上具备：具有第1沟道栅结构的主元件、以及具有第2沟道栅结构且检测在所述主元件工作时流过所述半导体基板的电流的电流检测元件，所述半导体装置的特征在于，所述第1沟道栅结构具备：配置于所述半导体基板的第1主面侧的第1沟道；沿着所述第1沟道的内壁配置的栅极绝缘膜；以及配置于所述第1沟道内的栅电极，所述第2沟道栅结构具备：配置于所述半导体基板的所述第1主面侧的第2沟道；沿着所述第2沟道的内壁配置的所述栅极绝缘膜；以及配置于所述第2沟道内的所述栅电极，构成所述电流检测元件的所述第2沟道栅结构的所述第2沟道的宽度小于构成所述主元件的所述第1沟道栅结构的所述第1沟道的宽度。
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