[发明专利]硅基太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅基太阳能电池，包括硅基电池本体，在硅基电池本体表面形成有短波长光吸收层，短波长光吸收层由对硅基电池本体的表面硅进行氧化、氮化或碳化后形成的介电层组成；短波长光吸收层用于在太阳光穿过时对大于短波长光吸收层的禁带宽度的太阳光短波进行吸收，利用短波长光吸收层对太阳光短波的吸收和光电转换效率大于硅基电池本体对太阳光短波的吸收和光电转换效率的特点提高硅基太阳能电池的短波响应。本发明还公开了一种硅基太阳能电池的制造方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池对短波长的吸收，拓宽其光谱响应，进而提高太阳能电池的转换效率，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低。

主权项

一种硅基太阳能电池，其特征在于，包括：由硅材料形成的硅基电池本体，所述硅基电池本体由一个PN结二极管组成或者由一个PIN二极管组成或者由总数量为两个以上的PN结二极管或PIN二极管叠加而成，所述硅基电池本体用于对大于硅的禁带宽度的太阳光进行吸收并进行光电转换；硅基电池本体表面形成有短波长光吸收层，所述短波长光吸收层由对所述硅基电池本体的表面硅进行氧化、氮化或碳化后形成的介电层组成，所述短波长光吸收层的禁带宽度大于硅的禁带宽度；所述短波长光吸收层用于在太阳光穿过时对大于所述短波长光吸收层的禁带宽度的太阳光短波进行吸收，太阳光穿过所述短波长光吸收层后再在所述硅基电池本体中被吸收，通过调节所述短波长光吸收层的厚度和禁带宽度调节所述短波长光吸收层对太阳光短波的吸收率；利用所述短波长光吸收层对所述太阳光短波的吸收和光电转换效率大于所述硅基电池本体对所述太阳光短波的吸收和光电转换效率的特点提高硅基太阳能电池的短波响应；在所述短波长光吸收层的表面形成有顶电极，所述顶电极为透明导电电极；在所述硅基电池本体的背面形成有背电极。