[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆叠，此HM堆叠具有第一、第二、第三及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫，在第四HM层中形成第二沟槽，藉由使用第三HM层作为蚀刻终止层移除第一间隔垫的至少一部分以形成切口，移除由第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露的第三及第二HM层的一部分以分别形成延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口。方法亦包括在延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口形成第二间隔垫且移除第二HM层的另一部分以形成第三沟槽。本发明使用硬质遮罩堆叠以在顶部两个HM层形成切口，避免底部HM层曝露于形成沟槽切口的蚀刻工艺。改进工艺视窗并提供形成沟槽及沟槽切口的稳固工艺。

主权项

1.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：在一材料层上方形成一硬质遮罩堆叠，其中该硬质遮罩堆叠包括安置于该材料层上方的一第一硬质遮罩层，安置于该第一硬质遮罩层上方的一第二硬质遮罩层，安置于该第二硬质遮罩层上方的一第三硬质遮罩层以及安置于该第三硬质遮罩层上方的一第四硬质遮罩层；在该第四硬质遮罩层中形成一第一沟槽；在该第一沟槽中形成一第一间隔垫；移除与该第一间隔垫相邻的该第四硬质遮罩层以形成一第二沟槽；移除该第一间隔垫的至少一部分以藉由使用该第三硬质遮罩层作为一蚀刻终止层来形成一切口；移除由该第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露的该第三硬质遮罩层及该第二硬质遮罩层的一部分，以分别形成一延伸的第一沟槽、一延伸的第二沟槽及一延伸的切口；在该延伸的第一沟槽、该延伸的第二沟槽及该延伸的切口中形成第二间隔垫；移除该第二硬质遮罩层的另一部分以形成一第三沟槽；以及分别移除由该延伸的第一沟槽、该延伸的第二沟槽、该延伸的切口及该第三沟槽所曝露的该第一硬质遮罩层的一部分。