[发明专利]一种发光显示器及其制备方法

摘要

本发明适用于显示技术领域，提供了一种发光显示器及其制备方法。所述发光显示器，包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/漏极和栅极，所述平坦层上开设有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦层的厚度；所述子像素坑区域下方的所述平坦层和所述钝化层开设有与所述源/漏极相通的通孔；所述子像素坑中依次设置有像素电极和发光单元中间功能层，所述发光单元中间功能层上设置有顶电极，其中，所述像素电极通过所述通孔与所述源/漏极相连。

主权项

1.一种发光显示器的制备方法，其特征在于，所述发光显示器包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/漏极和栅极，在所述平坦层上开设有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦层的厚度；所述子像素坑区域下方的所述平坦层和所述钝化层开设有与所述源/漏极相通的通孔；所述子像素坑中依次设置有像素电极和发光单元中间功能层，所述发光单元中间功能层上设置有顶电极，其中，所述像素电极通过所述通孔与所述源/漏极相连；所述制备方法包括以下步骤：提供TFT基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/极和栅极；在所述TFT基板上沉积光阻；采用掩膜板对所述光阻进行曝光处理，所述曝光处理包括对用于制作子像素坑的区域进行半曝光、对所述源/漏极上方用于制作连通所述源/漏极和所述子像素坑的通孔区域进行全曝光；其中，所述掩膜板包括完全镂空的全曝光区域和设置细小孔径的半曝光区域；对所述光阻的曝光区域进行显影处理，使得所述全曝光区域的光阻完全去除、所述半曝光区域形成残留光阻层；对所述显影处理的区域进行干法刻蚀，使得所述平坦层在半曝光区域开口形成子像素坑、所述平坦层和所述钝化层在全曝光区域开口形成通孔；在所述子像素坑中沉积像素电极后，去除未经曝光显影处理的所述光阻；在所述像素电极上制作发光器件。