[发明专利]半导体器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 201510844545.5 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990229B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 龚伯涵;卢盈静;洪奇成;王喻生;张简旭珂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，其包括位于半导体器件的栅极结构之上的介电层。半导体器件还包括导电互连件，其被配置成连接栅极结构和导电互连件之上的I/O区。半导体器件还包括设置在导电互连件和介电层之间的金属硅化物层，其中，金属硅化物是不同于导电互连件的金属的硅化物形式。本发明还提供了一种用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：介电层，位于所述半导体器件的栅极结构之上；导电互连件，被配置成连接所述栅极结构和位于所述导电互连件之上的I/O区；以及金属硅化物层，设置在所述导电互连件和所述介电层之间，所述金属硅化物为不同于所述导电互连件的金属的硅化物形式；导电层，设置在所述导电互连件和所述金属硅化物层之间，其中，所述导电层是所述金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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