[发明专利]一种改善低介电常数介质层中通孔形貌的方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种改善低介电常数介质层中通孔形貌的方法，包括以下步骤：首先提供一半导体基底,并在其表面依次形成刻蚀停止层、复合介质层以及抗反射介质层；接着在抗反射介质层的表面形成复合光刻层；然后对抗反射介质层以及复合介质层进行部分通孔的刻蚀；再接着对形成的部分通孔的内壁进行表面等离子处理；最后继续后续通孔的刻蚀，完成整体通孔结构。本发明在部分通孔结构形成后，对其内壁表面进行等离子处理，使其表面改性形成预设厚度的第一氧化层，从而提高抗刻蚀性能，并维持已形成的通孔形貌，有助于改善通孔的整体形貌。

主权项

1.一种改善低介电常数介质层中通孔形貌的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体基底，并在其表面依次形成刻蚀停止层、复合介质层以及抗反射介质层；步骤S02，在所述抗反射介质层的表面形成复合光刻层；步骤S03，对所述抗反射介质层以及复合介质层进行部分通孔的刻蚀；步骤S04，对形成的部分通孔的内壁进行表面等离子处理，以使所述部分通孔的内壁表面形成预设厚度的第一氧化层；其中，所述等离子处理的气体为O2以及Ar的组合或H2以及N2的组合，可去除复合介质层的低介电常数介质层表面的碳元素，使之转变为第一氧化层；步骤S05，继续后续通孔的刻蚀，以形成整体通孔结构。