[发明专利]垂直存储单元的半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510825030.0 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106783739B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王智盟;吴致远;郭仲仪;郑俊民;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改良式半导体存储器元件，以及制造此改良式半导体存储器元件的方法。此方法可在垂直存储单元中形成栅极时包括二个以上的氮化物移除步骤。此二个以上的氮化物移除步骤可允许产生较宽的栅极层以提升栅极填充、降低空穴的出现机率，从而改善字线的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 单元 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一垂直存储单元的方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成多个栅极绝缘层及多个氮化物层的多个交替叠层；刻蚀一或多个通道，正交于该些栅极绝缘层及该些氮化物层的该些交替叠层；利用包括硅的一第一磷酸试剂进行一第一氮化物移除步骤，在这些栅极绝缘层外侧之间形成具有一第一宽度的一第一空间；以及利用包括一第二磷酸试剂进行一第二氮化物移除步骤，在这些栅极绝缘层内侧之间形成具有一第二宽度的一第二空间，其中该第一宽度大于该第二宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
