[发明专利]垂直存储单元的半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造一垂直存储单元的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于该基板上形成多个栅极绝缘层及多个氮化物层的多个交替叠层；

刻蚀一或多个通道，正交于该些栅极绝缘层及该些氮化物层的该些交替叠层；

利用包括硅的一第一磷酸试剂进行一第一氮化物移除步骤，在这些栅极绝缘层外侧之间形成具有一第一宽度的一第一空间；以及

利用包括一第二磷酸试剂进行一第二氮化物移除步骤，在这些栅极绝缘层内侧之间形成具有一第二宽度的一第二空间，其中该第一宽度大于该第二宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物移除步骤包括于140℃至160℃下，提供该第一磷酸试剂至该些栅极绝缘层及该些氮化物层的该些交替叠层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用包括一第二磷酸试剂进行一第二氮化物移除步骤，是利用包括硅的第二磷酸试剂进行第二氮化物移除步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物移除步骤中的该第一磷酸试剂对该氮化物层与该栅极绝缘层的刻蚀速率比为100∶1至约60∶1。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该第二氮化物移除步骤包括于140℃至160℃下，提供该第二磷酸试剂至该些栅极绝缘层及该些氮化物层的该些交替叠层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物移除步骤中的该第一磷酸试剂的硅浓度为80ppm。

7.根据权利要求3所述的方法，其中该第二氮化物移除步骤中的该第二磷酸试剂的硅浓度为120ppm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中进行该第一氮化物移除步骤包括形成该些栅极绝缘层之中一或多个上的一或多个圆边。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括于该些氮化物层移除之处形成多个金属栅极层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该些金属栅极层包括钨。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括于该第一氮化物移除步骤之后形成一氧化物-氮化物-氧化物层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中该些栅极绝缘层及该些氮化物层中一或多个的至少一部分被移除，以形成沿着该些交替叠层的一或多个空隙，其中该空隙宽400埃。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括于该或该些通道之中沉积一导电材料。

14.一种垂直存储单元，其特征在于，包括：

一基板；

多个栅极绝缘层及多个栅极层的多个交替叠层，位于该基板上；

一或多个通道，正交于该些栅极绝缘层及该些栅极层的该些交替叠层，其中该些栅极绝缘层具有一或多个圆边；

在这些栅极绝缘层外侧之间形成的具有一第一宽度的一第一空间；以及

在这些栅极绝缘层内侧之间形成的具有一第二宽度的一第二空间，其中该第一宽度大于该第二宽度。

15.根据权利要求14所述的垂直存储单元，其中该些栅极层包括钨。

16.根据权利要求14所述的垂直存储单元，其中该或该些圆边是由于在形成该栅极层时将一试剂使用于该些垂直存储单元中所形成。

17.根据权利要求14所述的垂直存储单元，其中该些栅极层包括一氧化物-氮化物-氧化物层及一多晶硅层。