[发明专利]用于防止焊盘区中的裂缝的半导体装置在审
| 申请号： | 201510795521.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428336A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑钟烈 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明星 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于防止焊盘区中的裂缝的半导体装置。该半导体装置包括：下焊盘；上焊盘，形成在下焊盘的上方；绝缘层，形成在下焊盘和上焊盘之间；通路网，在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接，所述通路网具有网状，其中在平面图中，包括导电金属的单元格连接到与该单元格相邻的包括导电金属的多个单元格以形成导电金属网结构；至少一个通路孔，在通路网的单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接，多个通路孔在通路网的各单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接，其中，多个通路孔包括第一通路孔至第五通路孔，第一通路孔设置在通路网的单元格的中心，第二通路孔至第五通路孔关于第一通路孔对称地设置；难熔金属层，形成在上焊盘上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 焊盘区 中的 裂缝 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：下焊盘；上焊盘，所述上焊盘形成在下焊盘的上方；绝缘层，所述绝缘层形成在下焊盘和上焊盘之间；通路网，所述通路网在绝缘层中用于将下焊盘和上焊盘电连接，所述通路网具有网状，其中在平面图中，包括导电金属的单元格连接到与该单元格相邻的包括导电金属的多个单元格以形成导电金属网结构；至少一个通路孔，在通路网的单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接，多个通路孔在通路网的各单元格中用于将下焊盘和上焊盘电连接，其中，所述多个通路孔包括第一通路孔、第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔，第一通路孔设置在通路网的单元格的中心，第二通路孔、第三通路孔、第四通路孔和第五通路孔关于第一通路孔对称地设置；难熔金属层，形成在上焊盘上。
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