[发明专利]半导体存储装置、阻抗校准电路及其方法有效
| 申请号： | 201510772001.2 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN106205662B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郑尧韩;孙琯琇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置可以包括存储单元阵列。半导体存储装置可以包括阻抗校准电路，阻抗校准电路被配置为通过基于接口节点的电压产生阻抗码来执行阻抗匹配操作，接口节点的电压根据外部参考电阻器是否耦接至阻抗校准电路而通过外部参考电阻器或内部参考电阻单元来确定。半导体存储装置可以包括数据输入/输出(I/O)驱动器，数据输入/输出(I/O)驱动器被配置为从存储单元阵列接收输入数据并且响应于阻抗码来产生输出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 阻抗 校准 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列；阻抗校准电路，被配置为通过基于接口节点的电压产生阻抗码来执行阻抗匹配操作，接口节点的电压根据外部参考电阻器是否耦接至阻抗校准电路而通过外部参考电阻器或内部参考电阻单元来确定；以及数据输入/输出I/O驱动器，被配置为从存储单元阵列接收输入数据并且响应于阻抗码来产生输出数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510772001.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SRAM单元
- 下一篇：磁盘装置及写入控制方法
