[发明专利]一种沟槽栅IGBT及其制作方法有效
| 申请号： | 201510765896.7 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105390537B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，元胞包括位于源极区背离基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极，第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至基区，辅助凹槽与源极区接触，且辅助凹槽延伸至漂移区，辅助凹槽内设置有辅助栅层，辅助凹槽的内壁和辅助栅层之间设置有第二栅氧化层，其中，第一方向与第二方向相交。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间形成至少一个辅助凹槽，以增加沟槽栅IGBT的沟槽密度，增强电导调制效应，进而降低沟槽栅IGBT的通态压降，提高其性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧、且沿第一方向设置的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且背离所述基区一侧的源极区；位于所述源极区背离所述基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极，所述第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至所述基区，所述辅助凹槽与所述源极区接触，且所述辅助凹槽延伸至所述漂移区，所述辅助凹槽内设置有辅助栅层，所述辅助凹槽的内壁和所述辅助栅层之间设置有第二栅氧化层，其中，所述第一方向与第二方向相交；以及，覆盖所述辅助栅层背离所述漂移区的一侧表面的辅助栅氧化层。
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