[发明专利]一种广泛适用的斑点束平行透镜设计方法在审
申请号: | 201510710366.2 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN106653586A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王高腾 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/30;H01J37/32 |
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地址: | 101111 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁边界形状设计方法,属于半导体装备领域。如图1所示是斑点束平行透镜磁铁及斑点束线的俯视图,斑点束平行透镜磁铁设计方法包括1、平行透镜入口焦点位置O点;2、束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L;3、束线扫描角度θ;4、束线在平行透镜中的偏转半径R;5、束线出平行透镜期望的偏转角度Θ;6、束线经过平行透镜后的期望束宽Δ;该设计方法的主要思想是,首先确定平行透镜入口焦点位置O点后,给出束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L及要求的束线扫描角度θ,根据这三个参量可求出平行透镜磁铁的入口边界方程。同样,根据束线在平行透镜中的偏转半径R、束线出平行透镜期望的偏转角度Θ及束线经过平行透镜后的期望束宽Δ,根据这三个参量可求出平行透镜磁铁的出口边界方程。 | ||
搜索关键词: | 一种 广泛 适用 斑点 平行 透镜 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法,包括:平行透镜入口焦点位置O点;束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L;束线扫描角度θ;束线在平行透镜中的偏转半径R;束线出平行透镜期望的偏转角度Θ;束线经过平行透镜后的期望束宽Δ。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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