[发明专利]一种广泛适用的斑点束平行透镜设计方法在审
申请号: | 201510710366.2 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN106653586A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王高腾 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/30;H01J37/32 |
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地址: | 101111 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 广泛 适用 斑点 平行 透镜 设计 方法 | ||
技术领域
本发明涉及斑点束平行透镜磁铁的设计,涉及离子注入机,属于半导体装备制造领域。
背景技术
在半导体装备制造领域,特别是离子注入机,要求斑点束流到达末端靶室区域时,要保证束流有足够的平行度及宽度。束流平行度对半导体芯片的制作工艺有很大影响,束流平行度越好,所制作的半导体芯片质量越高。另外,随着晶圆尺寸的增大,进行注入工艺时对束流宽度也有一定的要求,即束流宽度要大于晶圆直径,并保证要有足够的余量。
发明内容
本发明涉及一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法。该发明应用于离子注入机平行透镜磁铁的设计。
本发明通过以下技术方案实现:
1、给出平行透镜的入口焦点位置O,该点即为斑点束的发射(或扫描)原点。
2、给出束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L及要求的束线扫描角度θ,由此可得出描述平行透镜入口边界的联立方程组:
3、给出束线在平行透镜中的偏转半径R及期望的束流偏转角度Θ及入口参量L、θ,可得到描述平行透镜出口边界的联立方程组:
[x-Lcos(θ)-Rsin(θ)]2+[y+Lsin(θ)+Rcos(θ)]2=R2
4、计算出发射角为θ时,平行透镜出口束流宽度Δ:
5、对于指定的束流偏转角度Θ,若计算出的束流宽度Δ小于期望束流宽度H,则可通过修改R、L、θ来找到一组值(R*,L*,θ*),使得Δ(R*,L*,θ*)≥H,这里H为平行透镜出口的期望束宽。
本发明具有如下显著优点:
1、完全通过解析公式描述斑点束平行透镜的形状及入口边界方程、出口边界方程,克服了以往通过数值仿真方法来确定平行透镜磁铁形状的缺陷,该发明具有很大的普适性。
2、依靠解析方法求解磁铁的形状及边界,可以找到影响束流平行度及宽度的参数,这样对平行透镜磁铁的设计具有很大的灵活性。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍,但不作为对本发明专利的限定。
图1是斑点束平行透镜磁铁边界形状及斑点束线的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的介绍,但不作为本发明的限定。
如图1所示是斑点束平行透镜磁铁边界形状及斑点束线的俯视图,斑点束平行透镜磁铁设计方法包括:1、平行透镜入口焦点位置O点;2、束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L;3、束线扫描角度θ;4、束线在平行透镜中的偏转半径R;5、束线出平行透镜期望的偏转角度Θ;6、束线经过平行透镜后的期望束宽Δ;该设计方法的主要思想是,首先确定平行透镜入口焦点位置O点后,给出束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L及要求的束线扫描角度θ,根据这三个参量可求出平行透镜磁铁的入口边界方程。同样,根据束线在平行透镜中的偏转半径R、束线出平行透镜期望的偏转角度Θ及束线经过平行透镜后的期望束宽Δ,根据这三个参量可求出平行透镜磁铁的出口边界方程。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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