[发明专利]一种广泛适用的斑点束平行透镜设计方法在审
申请号: | 201510710366.2 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN106653586A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王高腾 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/30;H01J37/32 |
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地址: | 101111 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 广泛 适用 斑点 平行 透镜 设计 方法 | ||
1.一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法,包括:平行透镜入口焦点位置O点;束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L;束线扫描角度θ;束线在平行透镜中的偏转半径R;束线出平行透镜期望的偏转角度Θ;束线经过平行透镜后的期望束宽Δ。
2.如权利要求1所述的一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法,其特征在于,根据入口参量:平行透镜入口焦点位置O、束线中心轨迹上入口焦点与平行透镜入口距离L及要求的束线扫描角度θ,可求出斑点束平行透镜磁铁的入口边界方程。
3.如权利要求1所述的一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法,其特征在于,根据出口参量:束线在平行透镜中的偏转半径R、束线出平行透镜期望的偏转角度Θ及束线经过平行透镜后的期望束宽Δ,可求出斑点束平行透镜磁铁的出口边界方程。
4.如权利要求1所述的一种广泛适用的斑点束平行透镜磁铁设计方法,其特征在于,仅需知道权利要求1、权利要求2、权利要求3中所述的入口参量及出口参量,就可设计出满足期望偏束流转角度及平行度、期望束宽的平行透镜磁铁及描述该磁铁形状的入口边界方程及出口边界方程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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