[发明专利]可流动膜固化穿透深度改善和应力调谐在审
| 申请号： | 201510706039.X | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105575768A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 梁璟梅;J·C·李;孙颙 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了用于沉积和固化可流动电介质层的方法。方法可包括：形成可流动电介质层，将可流动电介质层浸入含氧气体中，净化腔室，以及利用UV辐射来固化所述层。通过在含氧气体预浸透之后固化所述层，可在UV照射期间更完全地固化所述层。 | ||
| 搜索关键词： | 流动 固化 穿透 深度 改善 应力 调谐 | ||
【主权项】：
一种沉积层的方法，所述方法包含：在基板上形成可流动电介质层，所述基板被定位在工艺腔室的处理区域中；将含氧气体传送至所述基板和所述处理区域，所述可流动电介质层被浸没在所述含氧气体中达一段时间，从而产生经浸透的电介质层；在所述一段时间之后，净化来自所述处理区域的所述含氧气体；以及将所述经浸透的电介质层暴露于UV辐射，其中，所述UV辐射至少部分地固化所述经浸透的电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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