[发明专利]可流动膜固化穿透深度改善和应力调谐

权利要求书

1.一种沉积层的方法，所述方法包含：

在基板上形成可流动电介质层，所述基板被定位在工艺腔室的处理区域 中；

将含氧气体传送至所述基板和所述处理区域，所述可流动电介质层被浸没 在所述含氧气体中达一段时间，从而产生经浸透的电介质层；

在所述一段时间之后，净化来自所述处理区域的所述含氧气体；以及

将所述经浸透的电介质层暴露于UV辐射，其中，所述UV辐射至少部分 地固化所述经浸透的电介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述可流动电介质层是含硅和氮的层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氧气体包含原子氧(O)、臭氧(O₃)、 分子氧(O₂)、氮氧化物、水(H₂O)或上述各项的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板的温度被维持在小于150摄 氏度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述处理区域中的压力被维持在大于 100托。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在将所述经浸透的电介质层暴露于 UV辐射之前，将所述基板传递至第二工艺腔室。

7.如权利要求1所述的方法，其中，以每平方毫米的基板表面积约3.1sccm 至约10.6sccm之间的流率来将所述含氧气体传递至所述基板和所述处理区 域。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述可流动电介质层包含：

将无碳硅前体提供给所述处理区域；

将自由基氮前体提供给所述处理区域；以及

使所述无碳硅前体和所述自由基氮前体混合并反应，以便在所述基板上沉 积可流动电介质层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在惰性气体气氛中，将所述经浸透的 电介质层暴露于UV辐射。

10.一种用于处理基板的方法，所述方法顺序地包含：

在工艺腔室中的基板的基板表面上沉积具有小于约2.5的介电常数的可流 动电介质层，所述基板表面具有基板表面积；

以每平方毫米的基板表面积约3.1sccm至约10.6sccm之间的流率来使含 氧气体流入所述工艺腔室；

使所述含氧气体进入所述工艺腔室的流动终止；

将所述基板传递至紫外(ultraviolet；UV)处理腔室；以及

将所述可流动电介质层暴露于UV辐射。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述可流动电介质层是含硅和氮的 层。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述含氧气体包含原子氧(O)、臭 氧(O₃)、分子氧(O₂)、氮氧化物、水(H₂O)或上述各项的组合。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述基板的温度被维持在小于150 摄氏度。

14.如权利要求10所述的方法，其中，所述处理区域中的压力被维持在大 于100托。

15.如权利要求10所述的方法，进一步包含：在将所述基板传递至UV处 理腔室之前，净化来自所述工艺腔室的所述含氧气体。

16.如权利要求10所述的方法，其中，在惰性气体气氛中，将所述可流动 电介质层暴露于UV辐射。

17.如权利要求10所述的方法，其中，所述沉积所述可流动电介质层包含：

将无碳硅前体提供给所述工艺腔室；

将自由基氮前体提供给所述工艺腔室；以及

使所述无碳硅前体和所述自由基氮前体混合并反应，以便在所述基板上沉 积可流动电介质层。