[发明专利]通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法

摘要

一种通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，包括以下步骤：（1）得到GaN基外延片；（2）刻蚀出N型台面结构；（3）在外延片表面形成保护层；（4）沿N型台面通过激光划片机划至衬底，得到晶圆；（5）将晶圆进行高温腐蚀，去掉保护层，形成隔离槽；（6）在p型GaN层的表面形成透明导电层；（7）制作钝化层；（8）制备P电极、N电极以及连接两晶粒的金属引线；（9）将晶圆减薄、划裂后得到高压LED芯片。本发明通过激光划片和高温腐蚀形成隔离槽，不仅解决了高压芯片短路失效、开启电压低等不良，还具有工艺简单、良率高等优点；另外，由于已进行过激光划片，因此减薄后可以直接进行裂片，简化了后续工艺流程。

主权项

一种通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，所述高压LED芯片包括由下而上依次设置的衬底、n型GaN层、量子阱层、p型GaN层、透明导电层和钝化层，在ITO透明导膜电层、n型GaN层和钝化层上分别设置有p电极、n电极和金属引线；其特征是，包括以下步骤：（1）在衬底上依次生长GaN缓冲层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，得到GaN基外延片；（2）沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出N型台面结构；（3）在步骤（2）得到的外延片整个表面上形成一层保护层；（4）沿步骤（3）得到的外延片的N型台面通过激光划片机划至衬底，得到晶圆；（5）将步骤（4）所得晶圆进行高温腐蚀，把激光划片产生的碎屑清洗干净，然后去掉保护层，形成隔离槽；（6）在步骤（5）所得晶圆的p型GaN层的表面形成透明导电层；（7）在步骤（6）所得晶圆表面制作钝化层；（8）在步骤（7）所得晶圆上制备P电极、N电极以及连接两晶粒的金属引线；（9）将上述晶圆减薄、划裂后得到高压LED芯片。