[发明专利]通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法

权利要求书

1.一种通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，所述高压LED芯片包括由下而上依次设置的衬底、n型GaN层、量子阱层、p型GaN层、透明导电层和钝化层，在ITO透明导膜电层、n型GaN层和钝化层上分别设置有p电极、n电极和金属引线；其特征是，包括以下步骤：

（1）在衬底上依次生长GaN缓冲层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，得到GaN基外延片；

（2）沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出N型台面结构；

（3）在步骤（2）得到的外延片整个表面上形成一层保护层；

（4）沿步骤（3）得到的外延片的N型台面通过激光划片机划至衬底，得到晶圆；

（5）将步骤（4）所得晶圆进行高温腐蚀，把激光划片产生的碎屑清洗干净，然后去掉保护层，形成隔离槽；

（6）在步骤（5）所得晶圆的p型GaN层的表面形成透明导电层；

（7）在步骤（6）所得晶圆表面制作钝化层；

（8）在步骤（7）所得晶圆上制备P电极、N电极以及连接两晶粒的金属引线；

（9）将上述晶圆减薄、划裂后得到高压LED芯片。

2.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（1）中衬底为蓝宝石、SiC或硅。

3.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（3）中的保护层为SiO₂或SiN。

4.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（5）中的腐蚀是以浓硫酸、浓磷酸或浓硫酸和浓磷酸体积比3:2的混合液为腐蚀液，在温度150℃-300℃腐蚀5-30分钟。

5.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（5）中是用氢氟酸腐蚀去掉保护层。

6.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（6）中的透明导电层为ITO、ZnO或石墨烯。

7.根据权利要求1所述的通过划片和腐蚀形成隔离槽的高压LED芯片制备方法，其特征是，所述步骤（7）中的钝化层为SiO₂或SiN。