[发明专利]一种白光发光二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510598775.8 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN105280774A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 尹灵峰;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/24 分类号: H01L33/24;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 215600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种白光发光二极管及其制作方法,属于半导体技术领域。所述白光发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、导电薄膜,白光发光二极管上设有从P型层延伸到N型层的凹槽,导电薄膜上设有P电极,N型层上设有N电极,N型层、发光层、P型层除凹槽之外的部分为纳米阵列,纳米阵列中各单元之间填充有掺有荧光粉的胶质材料。本发明通过将N型层、发光层、P型层设置为纳米阵列结构,并在纳米阵列中各单元之间填充掺有荧光粉的胶质材料,省去在制作LED芯片后的封装过程中涂覆荧光粉的过程,过程简单方便,提高了白光LED的生产效率。
搜索关键词: 一种 白光 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种白光发光二极管,所述白光发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层、导电薄膜,所述白光发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽,所述导电薄膜上设有P电极,所述N型层上设有N电极,其特征在于,所述N型层、所述发光层、所述P型层除所述凹槽之外的部分为纳米阵列,所述纳米阵列中各单元之间填充有掺有荧光粉的胶质材料。
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