[发明专利]高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510585089.7 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531794B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;张凯焜 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法。首先，提供一半导体基底以及依序堆叠于半导体基底上的一介电层与一导电层。然后，图案化导电层，以形成一栅极以及一虚置栅极，其中虚置栅极设置于栅极的一第一侧。接着，在栅极与虚置栅极之间形成一第一间隙壁，且形成一第二间隙壁于栅极相对于第一侧的一第二侧，其中第一间隙壁包括一第一凹陷。随后，移除虚置栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压(high‑voltage，HV)金属氧化物半导体(metal‑oxide‑semiconductor，MOS)晶体管元件，包括：半导体基底；栅极结构，设置于该半导体基底上，其中该栅极结构包括：栅极；第一间隙壁，设置于该栅极的一第一侧，其中该第一间隙壁包括第一凹陷；以及第二间隙壁，设置于该栅极相对于该第一侧的一第二侧；第一掺杂区，设置于该半导体基底中，并与该第一间隙壁相邻，其中该第一间隙壁设置于该第一掺杂区与该栅极之间；以及第二掺杂区，设置于该半导体基底中，并与该第二间隙壁相邻，其中该第二间隙壁设置于该第二掺杂区与该栅极之间。
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