[发明专利]具有外延层的半导体结构有效
| 申请号： | 201510577437.6 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN106531793B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 许智凯;洪裕祥;傅思逸;童宇诚;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有外延层的半导体结构，包含一基底，其上定义有一第一导电型态区域以及一第二导电型态区域，多条第一鳍状结构位于该基底上并位于该第一导电型态区域内，以及多条第二鳍状结构位于该基底上并位于该第二导电型态区域内，多个第一栅极结构位于该第一导电型态区域内，多个第二栅极结构位于该第二导电型态区域内，以及至少两第一冠状外延层，设置于该第一导电型态区域内，以及多个第二外延层，设置于该第二导电型态区域内，该第二外延层的形状与该第一冠状外延层不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包含：基底，其上定义有一第一导电型态区域以及一第二导电型态区域；多条第一鳍状结构，位于该基底上并位于该第一导电型态区域内，以及多条第二鳍状结构，位于该基底上并位于该第二导电型态区域内；多个第一栅极结构，位于该第一导电型态区域内，横跨该多条第一鳍状结构，以及多个第二栅极结构，位于该第二导电型态区域内，横跨该多条第二鳍状结构；以及至少两第一冠状外延层，设置于该第一导电型态区域内，且位于各该第一栅极结构的两侧，以及多个第二外延层，设置于该第二导电型态区域内，位于各该第二栅极结构的两侧，其中该第一冠状外延层位于该第一栅极结构的两侧的一第一凹槽内，该第一凹槽具有一平坦底面，且同时接触该多个第一鳍状结构，另外该第二外延层的形状与该第一冠状外延层不同。
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