[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201510577374.4 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN106531776B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;黄志森;陈意维;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包含一基底，一层间介电层位于基底上，一栅极结构位于层间介电层中。栅极结构包含一栅极电极，具有一栅极凸出部，以及一栅极介电层位于栅极电极与基底之间。一间隙壁，位于层间介电层与栅极结构之间。一绝缘盖层，位于栅极电极上方并且包围栅极凸出部，其中绝缘盖层具有内凹的弧形顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有:基底；层间介电层，位于该基底上并且包含一栅极结构位于该层间介电层中，其中该栅极结构包含:栅极电极，具有一栅极凸出部；以及栅极介电层，位于该栅极电极与该基底之间；间隙壁，位于该层间介电层与该栅极结构之间；以及绝缘盖层，位于该栅极结构上方并且包围该栅极凸出部。
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