[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤a)在硅晶片上沉积铜，形成电极层；b)光刻；c)湿法及电镀。本发明提供的铜电极异质结电池具有以下有益技术效果1.既解决了银储量有限和未来银价格上涨的问题，又满足了光伏产业未来发展的需求；2.铜异质结电池相对目前的传统晶硅电池具有成本更低，而效率更高的优势，尤其是可提高单位面积发电量，更适宜分布式发电；3.铜电极技术研发的成功将突破我国光伏产业低水平重复投资和技术创新性不够的困境。

主权项

一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在硅晶片上沉积铜，形成电极层：在硅晶片上双面沉积铜，形成电极层；采用射频方式进行沉积，射频频率为12‑16MHz，工作气体为氩气，靶材为铜；所述沉积的工艺条件如下，本底真空为5X10‑5Pa，工作气压为0.1‑0.5Pa，溅射功率为200‑400W，溅射时间为200‑280S，硅晶片温度为90‑110℃；b)光刻：激光光绘绘制图形、冲片显影菲林片、压膜和曝光；在所述冲片显影菲林片步骤中，定影、显影液以浓度20‑30％的比例配置，冲片温度为30‑50℃，传送速度恒定；所述压膜步骤如下，压膜轮滚轴上表面温度90‑110℃，压膜轮滚轴下表面温度90‑100℃，传输速率0.4‑0.6m/min；所述曝光的能量强度为80‑90mv/cm2；c)湿法及电镀；所述湿法包括显影、水洗和稀硫酸清洗；在所述显影中，碳酸钠浓度为0.5‑2％，温度为20‑40℃，时间为0.5‑4min；所述水洗步骤为水洗2次，每次水洗时间为1‑2min，温度为室温‑45℃；所述稀硫酸清洗步骤在室温中进行，硫酸浓度为10％，清洗时间为0.2‑1min；所述硅晶片的结构依次包括ITO层、P‑Si层、i‑Si层、Si衬底、N‑Si层、i‑Si层和ITO层；沉积载板边缘宽度为2‑4mm，硅晶片正面全部溅射，硅晶片背面用载板支撑并作为边缘隔离；预留的干膜比硅片大，防止从侧边溅射铜；射频沉积前将硅片四周用高温胶带包裹起来，起到隔离的作用；在ITO过程中，化锡温度为20‑30℃，PH值为0.9‑1.1，即减少酸度，以减轻酸的腐蚀。