[发明专利]直拉法单晶硅生长中硅熔液的温度场控制技术在审
| 申请号： | 201510572950.6 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105239158A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明技术提供一种直拉法单晶硅生长中硅熔液的温度场控制技术。制备两层结构的石英坩埚，内层由高纯石英玻璃构成，在石英玻璃的外壁抛光，并镀上一层氮氧化硅薄膜。用于反射熔体的热量，在单晶硅和石英坩埚壁之间形成一个高温环。石英坩埚的形状分成上下两个部分，上半部分是一个圆柱体。下半部分是一个半椭球体，长轴水平放置，短轴垂直放置。长轴和短轴的尺寸与拉制单晶的尺寸和提拉工艺相关。通过控制晶体转速和坩埚转速，可以控制熔体温度场和温度分布，从而控制单晶硅中的氧分布和掺杂元素分布的均匀性，提高单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 单晶硅 生长 中硅熔液 温度场 控制 技术 | ||
【主权项】：
一种直拉法单晶硅生长中硅熔液的温度场控制技术；首先制备两层结构的石英坩埚，内层由高纯石英玻璃构成，在石英玻璃的外壁抛光，并镀上一层氮氧化硅薄膜；石英坩埚的形状分成上下两个部分，上半部分是一个圆柱体，下半部分是一个半椭球体；长轴水平放置，短轴垂直放置；长轴和短轴的尺寸与拉制单晶的尺寸和提拉工艺相关，通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布，从而控制单晶硅中的氧分布和掺杂元素分布的均匀性。
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