[发明专利]一种GaN基倒装HEMT器件结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基倒装HEMT器件结构及其制备方法。GaN基倒装HEMT器件结构包括基板、电极焊盘、电极、绝缘介质膜、外延层和导电通孔。所述外延层包括GaN缓冲层和AlGaN势垒层，栅电极一端穿过绝缘介质膜与栅电极焊盘连接，栅电极另一端与外延层的AlGaN势垒层连接，所述外延层通过栅电极焊盘与基板粘合在一起；所述基板、栅电极焊盘、绝缘介质膜、AlGaN势垒层、GaN缓冲层自下而上排布。本发明的HEMT器件外延片与散热基板通过栅电极焊盘连接，散热性能明显改善。另外源漏栅电极焊盘在外延层上方，没有刻蚀掉无用的外延层，外延层的有效利用率提高。本发明还提供一种GaN基倒装HEMT器件的制备方法。

主权项

1.一种GaN基倒装HEMT器件结构，包括基板、电极焊盘、电极、绝缘介质膜和外延层，所述电极包括漏电极、栅电极和源电极，所述电极焊盘包括栅电极焊盘、源电极焊盘和漏电极焊盘；其特征在于栅电极焊盘位于绝缘介质膜与基板之间，所述外延层包括GaN缓冲层和AlGaN势垒层，栅电极一端穿过绝缘介质膜与栅电极焊盘连接，栅电极另一端与外延层的AlGaN势垒层连接，所述外延层通过栅电极焊盘与基板粘合在一起；所述基板、栅电极焊盘、绝缘介质膜、AlGaN势垒层、GaN缓冲层自下而上排布；所述栅电极焊盘面积覆盖整个外延片下端面面积，栅电极焊盘键合到基板上时，不需要进行电极对准。