[发明专利]异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法

摘要

本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H‑SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区位于4H‑SiC衬底上；源极位于3C‑SiC源区上，肖特基接触栅电极位于3C‑SiC沟道区上，漏极位于3C‑SiC漏区上；SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极，以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度，从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。

主权项

1.一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管，其特征在于，包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H‑SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层；所述3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区形成于位于所述4H‑SiC衬底的3C‑SiC外延层上；所述3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区和3C‑SiC沟道区的深度与所述3C‑SiC外延层的厚度相同；所述源极位于所述3C‑SiC源区上，所述肖特基接触栅电极位于所述3C‑SiC沟道区上，所述漏极位于所述3C‑SiC漏区上；所述SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极，以及肖特基接触栅电极和漏极之间；所述3C‑SiC漏区和3C‑SiC源区由三次或四次氮离子选择性离子注入形成。