[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过首先对多晶硅层进行P型轻掺杂，然后再对P型轻掺杂多晶硅层进行图案化处理，可保证在P型轻掺杂制程中，P型离子不容易被注入到多晶硅层下方的氧化硅层中，对所述氧化硅层的损伤较小，近乎可以忽略不计，与传统的生产制程相比，本发明的制作方法并没有增加工艺制程和操作时间，仅仅通过调整多晶硅层的图案化处理与P型轻掺杂制程的顺序，即可使制得的TFT基板具有良好的综合性能和优异的电性表现。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层(21)、第二遮光层(22)；步骤2、在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)、及基板(10)上依次沉积氮化硅层(30)与氧化硅层(40)；步骤3、在所述氧化硅层(40)上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(50)；步骤4、对所述多晶硅层(50)进行P型离子注入，形成P型轻掺杂多晶硅层(60)；步骤5、采用一道光刻制程对所述P型轻掺杂多晶硅层(60)进行图案化处理，得到分别对应于所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)的第一有源层(61)、第二有源层(62)；步骤6、在所述第一有源层(61)、第二有源层(62)、及氧化硅层(40)上涂布一光阻层(70)，采用一道黄光制程对所述光阻层(70)进行曝光、显影，仅暴露出所述第一有源层(61)的两端区域，以所述光阻层(70)为掩膜，对所述第一有源层(61)的两端进行N型离子注入，去除所述光阻层(70)后，得到位于所述第一有源层(61)两端的N型重掺杂区(611)、及位于两N型重掺杂区(611)之间的P型轻掺杂区(613)；步骤7、在所述第一有源层(61)、第二有源层(62)、及氧化硅层(40)上沉积栅极绝缘层(80)，在所述栅极绝缘层(80)上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一有源层(61)、第二有源层(62)的第一栅极(91)、第二栅极(92)；步骤8、以所述第一栅极(91)为掩模，对所述第一有源层(61)的P型轻掺杂区(613)的两端进行N型离子注入，在所述P型轻掺杂区(613)上形成位于两端的N型轻掺杂区(615)、及位于两N型轻掺杂区(615)之间的P型轻掺杂沟道区(617)；步骤9、在所述第一栅极(91)、第二栅极(92)、及栅极绝缘层(80)上涂布一光阻层(110)，采用一道黄光制程对所述光阻层(110)进行曝光、显影，仅暴露出第二栅极(92)及栅极绝缘层(80)上对应于所述第二有源层(62)上方的区域，以所述第二栅极(92)为掩膜，对所述第二有源层(62)的两端进行P型离子注入，去除所述光阻层(110)后，得到位于所述第二有源层(62)两端的P型重掺杂区(621)、及位于两P型重掺杂区(621)之间的P型轻掺杂沟道区(623)；步骤10、在所述第一栅极(91)、第二栅极(92)、及栅极绝缘层(80)上依次形成层间绝缘层、源漏极；所述第一有源层(61)中，所述N型重掺杂区(611)中的N型离子浓度范围为1014～2×1015ions/cm2，所述N型轻掺杂区(615)中的N型离子浓度范围为1013～3×1013ions/cm2，所述P型轻掺杂沟道区(617)中的P型离子浓度范围为1012～5×1012ions/cm2；所述第二有源层(62)中，所述P型重掺杂区(621)中的P型离子浓度范围为1014～2×1015ions/cm2，所述P型轻掺杂沟道区(623)中的P型离子浓度范围为1012～5×1012ions/cm2。