[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

如图1-7所示，为现有的一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、如图1所示，提供一基板100，在所述基板100上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层210、第二遮光层220；

步骤2、如图2所示，在所述第一遮光层210、第二遮光层220、及基板100上依次沉积氮化硅层300与氧化硅层400；

步骤3、如图3所示，在所述氧化硅层400上沉积一非晶硅层，采用准分子激光退火制程将所述非晶硅层转化为多晶硅层500；

步骤4、如图4所示，采用一道光刻制程对所述多晶硅层500进行图案化处理，得到分别对应于所述第一遮光层210、第二遮光层220的第一有源层510、第二有源层520；

步骤5、如图5所示，对所述第一有源层510、第二有源层520进行P型离子注入，形成第一P型轻掺杂有源层610、第二P型轻掺杂有源层620；

步骤6、如图6所示，在所述第一P型轻掺杂有源层610、第二P型轻掺杂有源层620、及氧化硅层400上涂布一光阻层700，采用一道黄光制程对所述光阻层700进行曝光、显影，暴露出所述第一P型轻掺杂有源层610的两端区域，以所述光阻层700为掩膜，对所述第一P型轻掺杂有源层610的两端进行离子注入，如图7所示，去除所述光阻层700后，得到位于所述第一P型轻掺杂有源层610两端的N型重掺杂区612、及位于两N型重掺杂区612之间的P型轻掺杂沟道区614。

上述TFT基板的制作方法，首先对多晶硅层500进行图案化处理，得到岛状的第一有源层510、第二有源层520后，再对第一有源层510、及第二有源层520进行P型离子注入，其缺点是：蚀刻出岛状的第一有源层510、第二有源层520之后，会造成氧化硅层400的裸露，在进行P型离子注入的过程中会将P型离子注入到裸露出来的氧化硅层400中，对其晶格结构造成破坏，同时P型离子植入到氧化硅层400中将引入载流子，可能对元器件的电学特性造成一定的影响。

因此有必要提供一种改进的TFT基板的制作方法，以解决传统制程中遇到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可保证在P型轻掺杂制程中，P型离子不容易被注入到多晶硅层下方的氧化硅层中，对所述氧化硅层的损伤较小，使制得的TFT基板具有良好的综合性能和优异的电性表现。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层、第二遮光层；

步骤2、在所述第一遮光层、第二遮光层、及基板上依次沉积氮化硅层与氧化硅层；

步骤3、在所述氧化硅层上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

步骤4、对所述多晶硅层进行P型离子注入，形成P型轻掺杂多晶硅层；