[发明专利]感测器与感测器的制作方法在审
申请号: | 201510470233.2 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105070730A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 郑造时;陈盈宪;徐文斌 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种感测器与感测器的制作方法,感测器的制作方法包括以下步骤。于基板上形成主动元件。于基板上形成第一绝缘层以覆盖主动元件,其中第一绝缘层形成有第一开口以局部暴露出主动元件。于第一绝缘层上使用导电材料形成毯覆式导电层,其中毯覆式导电层经由第一开口连接主动元件。于毯覆式导电层上形成光电转换材料层。于光电转换材料层上形成第一光阻图案,并以第一光阻图案为掩膜,将光电转换材料层图案化成光电转换单元。图案化覆式导电层以形成第一电极,其中第一电极配置于第一开口中并将光电转换单元电性连接至主动元件。 | ||
搜索关键词: | 感测器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种感测器的制作方法,其特征在于,包括:于一基板上形成一主动元件;于该基板上形成一第一绝缘层以覆盖该主动元件,其中该第一绝缘层形成有一第一开口以局部暴露出该主动元件;于该第一绝缘层上使用一导电材料形成一毯覆式导电层,其中该毯覆式导电层经由该第一开口连接该主动元件;于该毯覆式导电层上形成一光电转换材料层;于该光电转换材料层上形成一第一光阻图案,并以该第一光阻图案为掩膜,将该光电转换材料层图案化成一光电转换单元;以及图案化该毯覆式导电层以形成一第一电极,其中该第一电极配置于该第一开口中并将该光电转换单元电性连接至该主动元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的